Abstract

La domanda globale di energia per le ICT potrebbe raggiungere il 20% del totale entro la fine del decennio. Le innovazioni tecnologiche nel campo dei transistori possono in parte compensare questo aumento e migliorare l'efficienza. Tuttavia, l'efficienza energetica in transistor convenzionali è limitata dalla fisica di Boltzmann, che impone un limite inferiore al consumo di energia.

Per sostenere la miniaturizzazione e migliorare le prestazioni dei dispositivi elettronici, sono necessarie nuove tecnologie di transistor che superino questo limite. AttoSwitch mira a sviluppare una tecnologia di transistor scalabile basata su materiali di Dirac 2D e 3D, come il grafene e il CoSi.

Partenariato

• CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA (COORDINATORE)
• UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI UDINE
• ALMA MATER STUDIORUM – UNIVERSITÀ DI BOLOGNA
• UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI MODENA E REGGIO EMILIA
• INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
• GESELLSCHAFT FUR ANGEWANDTE MIKRO UND OPTOELEKTRONIK MIT BESCHRANKTERHAFTUNG AMO GMBH
• LABORATORIO IBERICO INTERNACIONAL DE NANOTECNOLOGIA LIN
• LUNDS UNIVERSITET
• IBM RESEARCH GMBH

Importo del progetto

Importo totale del progetto        Euro 3.884.248,50
Importo del progetto Uniud        Euro    290.500,00
Finanziamento Uniud                Euro    290.500,00

Durata

• Data avvio progetto: 01/01/2024
• Data conclusione progetto: 30/06/2027

Link

https://www.attoswitch.eu/

https://cordis.europa.eu/project/id/101135571